PHD-11TP-11M PHD-12TP-111M

Input in zona pericolosa

Tip de segnal

1) ingress del sensur PNP/NPN a tri fil:
Distribuziun del sensur: (2+"15"3-): 14V,
Corrent:
Frequenza d’entrada: 0,1 Hz ~ 100 kHz

2) Ingress segnal de frequenza:
Frequenza d’entrada: 0,1 Hz ~ 100 kHz
Tensiun massima d’entrada ammessa: 30Vp-p
Livel minim de ingress: 0,2 V (2 Hz ~ 100 kHz)
                                       2V (0,1Hz ~ 100kHz)

3) Interruttor de prossimità, ingress interruttor de cuntatt a secc:
Tensiun de distribuziun: (4 + 5-) ≈ 8 V, Corrent de curt circuit: (4 + 5-)> 7 mA
Frequenza d’entrada: 0,1 Hz ~ 100 kHz

Sorcitament en zona sicüra

Segnal de uscita

0 ~ 20 mA 4 ~ 20 mA 0 ~ 5 V 0 ~ 10 V

Resistenza al carich de uscita atual

Resistenza al carich de uscita de tensiun

≥300Ω

Parametri de bas

Alimentaziun

20~35V CC

Consum de energia

≤85mA (alimentaziun de 24 V, uscita de 20 mA)

Largheza de impuls

≥2μs

Precisiun de output

0,1% FS

Deriva de la temperadüra

0,01% FS/°C

Per i detai sü la funziun de rilevament di guasti del segnal d’ingress, cunsulta el manual aplicabil

Temp de rispòsta del relè

ms

Temperadüra de lavuraziun

-20°C~+60°C

temperadüra de cunservaziun

-40°C~+80°C

Umidità relativa

10% ~ 95% RH (nissun cundensaziun)

EMC

Segond el GB/T 18268 (CIE 61326-1)

Resistenza a l'isolament

Intra el lat intrinsecament sicür e el lat minga intrinsecament sicür≥2500V CA/min
Intra l’alimentaziun e el lat minga intrinsecament sicür ≥2500V CA/min

Resistenza a l'isolament

≥100MΩ (intra ingress/uscita/alimentaziun)

Requisiti del fil

Seziun trasversal ≥0,5mm2;Resistenza a l’isolament ≥500V

Lugar de instalaziun

Instalà en una zòna sicüra, pœu vèss culegà a strüment de sicüreza intrinsech en sit periculus fin a la zòna 0, IIC, zòna 20 e IIIC

Attrezzatur sul camp aplicabil

Segond l’interruttur de prossimità NAMUR DIN19234, l’interruttur de cuntatt a secc ecc.

Certificaziun de sicureza

Marca a prova de esplosion

[Essia Ga] IIC [Essia Da] IIIC

Norma a prova de esplosion

GB/T 3836,1-2021, GB/T 3836,4-2021

Morsett 4-5

Um=250VAC/CC,Uo=10,5VCC,Io=14mA,
Po=37mW,Co=2,4μF,Lo=165mH

Morsett 3-6

Um=250VAC/CC,Uo=14VCC,Io=8mA,
Po=28mW,Co=0,73μF,Lo=150mH

Morsett 1-2-3

Um=250VAC/CC,Uo=17,5VCC,Io=330mA,
Po=1,4W,Co=0,375μF,Lo=0,22mH

Organism de certificaziun

Istitut de ispeziun e test de strüment e sistèmi de automaziun de Shanghai (SITIIAS)