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Dottorato-12TD-211
Input analogico
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Dottorato-12TD-211

Dottorato-12TD-211

Trasmettitô à doî ò trei fî ò vivagne de corrente input /4~20mA sciortia 1 input 2 sciortia


Panoramica

PHD-12TD-211 a l’é unna barriera de seguessa de fin de rilevaçion isoâ progettâ appoxitamente pe input e output analoghi.

    Panoramica

    A barriera de seguessa isoâ d'input analogico co-a fonçion de proteçion contra e surge a fornisce unn'alimentaçion isoâ pe doî e trei trasmettoî à fî inte aree de reisego. O segnâ de 4-20mA generou da-o trasmettitô ò da-a vivagna de corrente o vëgne trasmisso da l'aria de reisego à l'uscita de l'aria segua, con portâ coscì a carrega inte l'aria segua. Pe doî ò trei trasmettoî de fî ò segnæ de vivagne de corrente, sta barriera de seguessa a sostëgne a communicaçion bidireçionâ do segnâ digitale Hart sorvepòsto in sciô segnâ 4-20mA e a l'à unna fonçion d'allarme de rottua de fî.
    Sto produto o domanda unn'alimentaçion independente, con di borni d'alimentaçion, d'input e de sciortia isoæ.

     

    1

     

    Input inte l'aria pericolosa

    Segnâ d'intrâ

    Trasmettitô à doî ò trei fî ò vivagne de corrente (segnâ digitale HART)

    Tenscion de distribuçion do trasmettitô

    A tenscion do çircuito averto a l’é ≤28V, e a tenscion de sciortia a l’é ≥15.5V quande o çircuito o l’é 20mA.

    Produçion inte l'aria segua

    Segnale de sciortia

    ~ 20 mA (segnâ digitale HART)

    Carrego de sciortia

    Quande se produxe 20mA, 0~500 Ω (personalizzabile)
    Tipo de sciortia de tenscion facoltäio, rescistensa de carrego RL ≥ 330k Ω

    Parametri de base

    Tenscion d'alimentaçion

    ~ 35 VCC

    Consummo d'energia

    Quande l'alimentaçion de 24V, sciortia de 20mA
    ≤95mA (PHD-12TD-211+)

    Indicatô à LED

    Verde: indicatô de potensa

    Tempo de respòsta

    2ms pe razzonze o 90% do valô finale

    Deriva de temperatua

    0,005% FS/°C

    Parametri de temperatua

    Temperatua de travaggio: -20°C ~ +60°C,
    Temperatua de conservaçion: -40°C ~ +80°C

    Umiditæ relativa

    10% ~ 95% RH nisciuña condensaçion

    Rescistensa à l'isolamento

    Tra o lato intrinsecamente seguo e o lato no intrinsecamente seguo (≥3000VAC/min); tra l'alimentaçion e o lato no intrinsecamente seguo (≥1500VAC/min)

    Rescistensa à l'isolamento

    ≥100MΩ (tra input/output/alimentaçion)

    Compatibilitæ elettromagnetica

    Segondo o CPI 61326-1 (GB/T 18268), o CPI 61326-3-1.

    MTBF

    100000h

    Requixiti de fî

    Seçion trasversale ≥ 0,5mm2; Rescistensa d'isolamento ≥ 500V

    Apparecchiaçioin in sciô campo applicabile

    Doî trasmettitoî à trei fî (HART) ò segnâ de vivagne de corrente (HART)

    Posto d'installaçion

    Luogo d'installaçion: installou int'unna zòna segua, o peu ëse collegou à di strumenti de seguessa intrinsechi inte aree de reisego fin a-a zòna 0, IIC, zòna 20 e IIIC

    Certificaçion intrinsecamente segua

    Marco à prova d'esploxon

    [Ex ia Ga]lIC [Ex ia Da]lllC

    Standard à prova d'esploxon

    GB/T3836.1-2021 GB/T3836.4-2021

    Morni 3-2, 3-4:

    Um:250V CA/CC Uo=28V CC lo=93mA Po=0,65W Co=0,083μF Lo=4,2mH

    Morsetto 1-2:

    Um:250V CA/CC Uo=7,2V CC lo=--- Po=-Co=12μF Lo=--

    Òrgo de certificaçion

    CQST (Çentro naçionale de supervixon e preuve da qualitæ da Çiña pe-i produti elettrichi protetti da-e esploxoin)
    Çentro de preuve di produti de proteçion contra e lampe de Shanghai



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